La memoria RAM Samsung M386AAG40BM3-CWE es una solución de alto rendimiento diseñada para entornos de servidor que requieren una gran capacidad y eficiencia operativa. Con una impresionante capacidad de 128 GB, este módulo DDR4 proporciona un alto nivel de rendimiento y fiabilidad para cargas de trabajo intensivas y aplicaciones de misión crítica.
Operando a una velocidad de 3200 Mbps, esta memoria optimiza la transferencia de datos en entornos de servidores, asegurando un rendimiento fluido en aplicaciones exigentes como virtualización, big data y procesamiento en la nube. Su configuración 4R x 4 junto con la composición de componentes (DDP 8G x 4) x 36 permite una arquitectura robusta que mejora la estabilidad del sistema y la eficiencia del procesamiento de datos.
Con un voltaje de 1.2 V, la Samsung M386AAG40BM3-CWE mantiene un consumo energético reducido sin comprometer la velocidad y el rendimiento, lo que la hace ideal para centros de datos que buscan eficiencia y reducción de costos operativos. Además, su formato de 288 pines garantiza una integración sencilla y segura en sistemas de servidores modernos, ofreciendo compatibilidad con diversas plataformas empresariales.
Principales Características…
* Capacidad de 128 GB, ideal para servidores y aplicaciones de alto rendimiento.
* DDR4, equilibrio entre velocidad, eficiencia y estabilidad.
* Velocidad de 3200 Mbps, óptima para procesamiento intensivo de datos.
* Configuración 4R x 4, mayor estabilidad y capacidad de procesamiento.
* Voltaje de 1.2 V, eficiencia energética mejorada.
* Composición (DDP 8G x 4) x 36, diseñada para optimizar el rendimiento.
* 288 pines, compatibilidad con servidores de última generación.
| Capacidad | 128 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 3200 Mbps |
| Tipo de módulo | RDIMM (Registered DIMM) |
| Latencia CAS | CL22 |
| Voltaje | 1.2 V |
| Características | Alta capacidad, eficiencia energética, configuración 4R x 4, 288 pines |
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